فرآیند و کارکرد گیاهی

به‌منظور بهبود رشد گیاه دان‌سیاه (Guizotia abyssinica (L.F) Cass) تحت تنش خشکی، آزمایشی به صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی با 3 تکرار بر روی بذرهای این گیاه در گلخانه پژوهشی دانشگاه شهرکرد در سال 1394 انجام شد. فاکتور اول شدت‌های مختلف میدان مغناطیسی شامل: صفر، 50، 100، 150 و 200 میلی‌تسلا (در مدت زمان پنج دقیقه) بعنوان پیش‌تیمار فیزیکی و فاکتور دوم تنش خشکی (2، 4 و 6 روز دور آبیاری) بود. نتایج نشان داد که اثرات متقابل سطوح مختلف شدت‌ میدان مغناطیسی و تنش خشکی بر تمام صفات مورد بررسی در سطح احتمال 1 درصد معنی‌دار گردید. کمترین میزان نشت الکترولیتی غشاء و بیشترین فعالیت آنزیم‌های آسکوربات پراکسیداز و گایاکول پراکسیداز و محتوای آب نسبی برگ در شدت میدان 200 میلی‌تسلا تحت دور آبیاری 2 روز، بیشترین فعالیت کاتالاز در شدت میدان 100 میلی‌تسلا تحت دور آبیاری 4 روز، بیشترین میزان وزن خشک برگ و حجم ریشه در شدت میدان 100 میلی‌تسلا تحت دور آبیاری 2 روز و بیشترین وزن خشک گل و ریشه در شدت میدان 150 میلی‌تسلا تحت دور آبیاری 2 روز مشاهده گردید. اکثر صفات مورد بررسی با افزایش دور آبیاری در شدت‌های مختلف میدان مغناطیسی روند کاهشی را نشان دادند. به‌طور کلی، برای دور آبیاری 2 روز شدت میدان‌های 150 و 200 میلی‌تسلا، برای دور آبیاری 4 روز شدت میدان‌های 100 و 150 میلی‌تسلا و برای دور آبیاری 6 روز شدت میدان‌های 100 و 200 میلی‌تسلا موثرترین شدت‌ها جهت بهبود و افزایش کارایی صفات تحت شرایط تنش خشکی بودند.